- Начало
- PC Компоненти
- SSD диск
- Samsung
- 250GB Samsung 980 NVMe M.2 2280 (ID: 200930)
SSD 250GB Samsung 980 NVMe M.2 2280 MZ-V8V250BW
код FALL25
за 3% отстъпка
за 3% отстъпка











Вземи супер отстъпка:
Грабни 3% отстъпка на този продукт с промокод: FALL25
Кода е валиден от 23.09.2025г. до 20.10.2025г.
Размер: 250 GB
Физически размер: M.2 (2280)
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4
Скорост на четене: 2900 MB/s
Скорост на запис: 1300 MB/s
Вътрешен/Външен: Вътрешен
Гаранция:
0.0
от 5.0
(0)

Купи и събери
2 точки
Плати по-лесно и сигурно с
ID: 200930
Вземи супер отстъпка:
Грабни 3% отстъпка на този продукт с промокод: FALL25
Кода е валиден от 23.09.2025г. до 20.10.2025г.
Характеристики
Подходящо за | Настолни и преносими компютри |
Тип | M.2 NVMe SSD |
Размер | 250 GB |
Физически размер | M.2 (2280) |
Съвместим отсек | M.2 2280 |
Вътрешен/Външен | Вътрешен |
Скорост на четене | 2900 MB/s |
Скорост на запис | 1300 MB/s |
Скорост на случайно четене | 17000 IOPS |
Max random read speed | 230000 IOPS |
Скорост на случаен запис | 53000 IOPS |
Max random write speed | 320000 IOPS |
Средно време до отказ (MTBF) | 1,500,000 hours |
Общо записани терабайти (TBW) | 150 TB |
Тип флаш памет | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
Интерфейс | PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4 |
Подробности за интерфейса | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
Hardware encryption |
![]() |
Encryption algorithm | 256-bit AES |
Функции | NVM Express (NVMe) 1.4, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Host Memory Buffer (HMB), Samsung Pablo Controller, TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, Device Sleep support, Intelligent TurboWrite Technology, state-of-the-art thermal control, S.M.A.R.T. |
Стандарти | IEEE 1667 |
Консумация | 3.7 Watt (average) 5.6 Watt (maximum) 0.045 Watt (idle) |
Включен софтуер | Samsung Magician Software |
Височина | 2.38 mm |
Ширина | 22.15 mm |
Дълбочина | 80.15 mm |
Размери | 80.2 x 22.2 x 2.4 мм |
Цвят | Черен |
Тегло | 8 гр |
Други характеристики | Storage Memory: Samsung V-NAND 3-bit MLC; Samsung Pablo Controller; Cache Memory: HMB(Host Memory Buffer) |
Максимална работна температура | 70 °C |
Минимална работна температура | 0 °C |
Shock resist (operating) | 1500 g @ 0.5 ms half-sine |
Гаранция | 60 месеца |
Код на продукта | MZ-V8V250BW |
Виж повече
Допълнителна информация
Виж повече
Информация за производителя
Контакт | [email protected] |
Адрес | Samsung Electronics Romania-Bulgari 115 M Tzarigradsko shausse Blvd. 1784 Sofia, BG |
Уебсайт | https://www.samsung.com/bg/ |
Виж повече
Ние от PIC.bg постоянно полагаме усилия информацията на тази страница да е точна. В редки случаи съдържанието може да е некоректно. Всички снимки са с информативна цел и е възможно да съдържат аксесоари, които не са включени в стандартния пакет. Някои от спецификациите или цените могат да бъдат променяни от производителя без предизвестие или да съдържат експлоатационни грешки. Всички промоции, посочени в сайта, се предлагат до изчерпаване на количествата.
Отзиви
0.0
0 отзива.
5
0
4
0
3
0
2
0
1
0
Оцени продукта
Добави отзив